RN2110,LF(CB
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | RN2110,LF(CB |
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Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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3000+ | $0.0362 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | SSM |
Serie | - |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Leistung - max | 100mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SC-75, SOT-416 |
Andere Namen | RN2110(T5L,F,T) RN2110(T5LFT)TR RN2110(T5LFT)TR-ND RN2110,LF(CBTR RN2110,LF(CT RN2110LF(CBTR RN2110LF(CTTR RN2110LF(CTTR-ND |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 16 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 120 @ 1mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
RN2110,LF(CB Einzelheiten PDF [English] | RN2110,LF(CB PDF - EN.pdf |
TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
TOSHIBA SOT-723
AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
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RN2110F TOSHIBA
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TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RN2110,LF(CBToshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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